Компания Samsung Electronics объявила о начале выпуска быстродействующей флеш-памяти NAND с объемом 64 Гбит. 20-нанометровые микрочипы изготовлены по технологии multi-level-cell (MLC), имеют интерфейс второго поколения с удвоенной пропускной способностью (double data rate 2 – DDR2).