Samsung Electronics выпустила первую партию памяти NAND-флеш на основе технологии многоуровневых ячеек по 30-нм техпроцессу. Чипы будут использоваться в картах microSD емкостью 8 ГБ в связке с 3-битными NAND контроллерами Samsung.

3-битная NAND память позволит создавать более дешевые потребительские устройства хранения данных с более высоким объемом памяти. Эффективность подобной памяти на основе технологии многоуровневых ячеек по [...]

URL записи